所谓透明电极一是要能够导电，二是要能够透光。
这种材料现在较为广泛应用在液晶生产工艺中，其名称叫氧化铟锡，英文缩写ITO，但它不能作为焊垫使用。
制作时先要在芯片表面做好欧姆电极，然后在表面覆盖一层ITO再在ITO表面镀一层焊垫。
这样从引线上下来的电流通过ITO层均匀分布到各个欧姆接触电极上，同时ITO由于折射率处于空气与外延材料折射率之间，可提高出光角度，光通量也可增加。
在LED芯片制作过程中，把一些有缺陷的或者电极有磨损的芯片，分捡出来，这些就是后面的散晶，此时在蓝膜上有一些不符合正常出货要求的晶片，也就自然成了边片。
刚才谈到在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试，对于不符合相关要求的晶圆片作另外处理，这些晶圆片是不能直接用来做LED方片，也就不做任何分检了，直接卖给客户了，也就是目前市场上的LED大圆片(但是大圆片里也有好东西，如方片)。
LED制作流程分为两大部分。
首先在衬低上制作氮化家(GaN)基的外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。
准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。
常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，还有GaAs、AlN、ZnO等材料。
MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应，将所需的产物沉积在衬底表面。
通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例，从而控制镀膜成分、晶相等品质。
MOCVD外延炉是制作LED外延片蕞常用的设备。
LED芯片材料磊晶种类
1.LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP
2.VPE：Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs
3.MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN
4.SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs
5.DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure(双异型结构) GaAlAs/GaAs
6.DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure(双异型结构) GaAlAs/GaAlAs
近几年，LED电子显示屏市场十分，带动着整个LED显示屏行业进入到高速增长阶段。除了在户外被大量应用的广告屏、演艺屏、交通诱导屏等之外，应用于室内LED显示屏也是一个潜力巨大的市场，其中包括室内监控大屏幕以及室内电子幕墙等。但从技术层面来看，实际上，在过去10年左右的时间里，大多数厂商推出的LED屏在基本的系统架构上并没有太大的变化，只是针对某些技术指标作一定程度的改善和修正。
同时，在产品的普及推广上也相对滞后，虽然早在几年前市场上就已有带PWM(脉冲宽度调制)功能的显示屏驱动IC产品推出，且市场人士也均已认同PWM功能具有高刷新率、电流恒定等优势，但由于价格等因素，至今为止这类显示屏驱动IC的市场份额仍旧不高，市场上应用量较大的还是以基本款居多(如聚积5024/26等)，产品主要应用在一些较为注重品质的LED屏租赁市场中。
然而，伴随着目前LED显示屏市场的迅猛发展，越来越多的用户开始对LED屏提出了从视觉效果、传输方式、显示方式，到播放方式等一系列复杂的要求，这也使得LED屏产品面临一次全新的技术革新机遇，而作为整体显示屏系统的“大脑”——LED驱动IC将起到致关重要的作用。
以上信息由专业从事LED模组定制厂家的杰生半导体于2024/5/2 11:42:26发布
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